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C4D10120A Rev. B
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
F
Forward Current
VFForward VoltageV
F
(V)
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.5
2.2
1.8
3
V
IF
=
10
A
TJ=25°C
IF
=
10
A
TJ=175°C
IR
Reverse
Current
30
55
250
350
μA
VR
=
1200
V
TJ=25°C
VR
=
1200
V
TJ=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
52
nC
VR
=
800
V,
IF
=
10A
di/dt
=
200
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
754
45
38
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
800
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
1.
Note:This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.1
°C/W
Typical Performance
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
0.00
100.00
200.00
300.00
400.00
500.00
600.00
0
500
1000
1500
2000
I
R
Reverse Current (μA)
VRReverse VoltageVR
(V)
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ=
25°C
TJ=
75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
I
F
(A)
I
R
(μA)
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